衢州经济技术开发区基础设施补短板项目—技术创新中心（浙江省先进半导体材料技术创新中心项目）（一期）

建设地点：位于衢州市智造新城东港片区

建设规模：项目投资估算22413万元，工程概算22413万元，其中建安工程造价16014.6791万元，本项目总建筑面积约41632㎡，为工业建筑，包括中试车间一、中试车间二等工程建设，其中：中试车间一建筑面积约33937㎡（地上约27200㎡，地下约6737㎡），地下1层，地上8层；中试车间二建筑面积约7695㎡，地上3层；最大建筑高度为36.6米，最大单跨跨度为28.2米。

中标人：广东省第二建筑工程有限公司

浙江水韵交通工程有限公司(联合体)

中标价：12604.438000万元