建设地点：浦东新区泥城镇（四至范围： 东至：J09-01A地块 西至：J09-01C地块 南至：人民塘随塘河北侧绿化带 北至：飞舟路）
建设规模：新一代化合物半导体研制基地项目，建设地点位于浦东新区泥城镇（四至范围： 东至：J09-01A地块 西至：J09-01C地块 南至：人民塘随塘河北侧绿化带 北至：飞舟路）。项目总投资110000万元，其中设备投资35520万元。总建筑面积57939.85平方米，其中：地上面积54905.5平方米，地下面积3034.85平方米。建成之后，形成年产10000套焦平面探测器的能力。 此次招标为净化专业工程，净化面积约为13000平方米，净化等级为百级。
第一名：中国电子系统工程第二建设有限公司
投标价格：12370.0774万元
第二名：上海普宏建设工程有限公司
投标价格：12376.9532万元
第三名：上海君阳建设发展有限公司
投标价格：12377.5845万元
